ビジュアライズド　イラストレーションズ

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How to Endodonticsn:さらに,室温用のプラガーを用いて根管充填材が軟らかいうちに加圧する.最初に細い方のプラガーを用いて根尖側の根管充填材を加圧し,次に反対側の太いプラガーで歯冠側のそれを根管口付近まで加圧成型する(30秒程).o:backfilling完了.臼歯部では根管口から1mmアンダーに,前歯部ではCEJの位置まで根管充填することが理想的である.とくに余剰なGPポイントはプラガーを加熱させ切断するとよい.最後は垂直に室温用のプラガーで加圧すると封鎖性を向上させることができる39.レジロンで根管充填を行うと,光重合40秒でEpiphany®シーラーを速やかに硬化させることができる.デュアルキュアなので化学重合では約45分要する. このように,Continuous Wave of Condensation Technique(CWCT)はSchliderの方法と比較するとシステマチックに改良された根管充填方法といえる.テーパーのついたSystem Bプラガーからの加圧により,側枝などの細かな場所にも根管充填材を浸透させることができる.しかも側方加圧充填法と比較して根管封鎖性が高く17,40,緊密に充填することができる41.根管充填の緊密性が低いと成功率は有意に低下する42.イスムスのある根管の根管充填a:イスムスで結ばれる根管充填前の複根管歯.b:マスターポイントの挿入.c:不適切なCWCTによる根管充填.System Bのプラガーを挿入していない方のマスターポイントがイスムスからの根管充填材により浮き上がってしまう.d:適切なCWCTによる根管充填.片側のマスターポイントを別のプラガーで抑えながら根管充填する.e:残りの根管をCWCTにより根管充填する.f:CWCTによる根管充填後.この後はbackfillingに続く.154noabcdefシーラーイスムス

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